v  功能特點(diǎn)

ü  本底真空：2E-10torr

ü  4個(gè)UHV超高真空陰極

ü  系統(tǒng)可烘烤

ü  共濺或順序?yàn)R射系統(tǒng)

ü  4軸加熱樣品臺(tái)，可旋轉(zhuǎn)、XYZ方向均可移動(dòng)

ü  SiC加熱器，加熱溫度850℃以上

ü  多腔體真空互聯(lián)

ü  手動(dòng)或自動(dòng)LoadLock上下片系統(tǒng)

 v  沉積材料

ü  Nb、Ti、Al、NbTi等低溫超導(dǎo)材料

ü  Fe、Co、Ni及合金磁性等材料