原子層沉積設(shè)備采用模塊化設(shè)計(jì)理念，主要由真空模塊、前驅(qū)體輸運(yùn)模塊、全封閉氣體反應(yīng)模塊和電子控制模塊四個(gè)可拆裝的模塊組成，滿(mǎn)足超凈室標(biāo)準(zhǔn)；系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、集成度高，可實(shí)現(xiàn)全流程自動(dòng)化控制，具有均勻性好、技術(shù)指標(biāo)廣泛可調(diào)、適用范圍廣等特點(diǎn)。   原子層沉積設(shè)備具有連續(xù)和停留模式自由選擇，可在平面及三維結(jié)構(gòu)材料上沉積薄膜。可用于生長(zhǎng)多種氧化物及其復(fù)合薄膜的制備，廣泛應(yīng)用于high-K柵極絕緣層、OLED封裝層、太陽(yáng)能電池鈍化層、鋰離子電池、光學(xué)元件鍍膜、MEMS等諸多領(lǐng)域。

技術(shù)特點(diǎn)：

PE多功能真空反應(yīng)模塊可選配

1、真空內(nèi)半球形加熱器加熱設(shè)計(jì)，溫度均勻性高，使用壽命長(zhǎng)；

2、遠(yuǎn)程ICP電感耦合等離子體，喇叭形等離子體腔體結(jié)構(gòu)，適合高均勻性、低損傷薄膜沉積；

3、沉積腔室內(nèi)無(wú)死區(qū)，沉積薄膜顆粒少，0.5um以上顆粒值增加少于50顆；
4、小的沉積腔室空間，沉積速度快，標(biāo)準(zhǔn)沉積溫度下cycle吹掃時(shí)間短至4 s；
5、配置高溫ALD閥和全獨(dú)立質(zhì)量流量計(jì)控制前驅(qū)體源吹掃閥門(mén)和管道，確保閥門(mén)和管道無(wú)前驅(qū)體源殘留，有效減少顆粒的產(chǎn)生；
6、配置耐污染薄膜壓力傳感器用于全工藝過(guò)程壓強(qiáng)變化的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，延長(zhǎng)真空計(jì)的使用壽命；
7、ALD工藝配方編輯方便方便、靈活，可方便實(shí)現(xiàn)高深寬比、多元復(fù)合薄膜及交替薄膜的配方編輯；
8、高精度實(shí)時(shí)PLC軟件控制系統(tǒng)和高性能4U工控機(jī)，高速數(shù)據(jù)采集和高可靠性，可連續(xù)長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行；
9、多重安全保障：軟件控制上具備多重自鎖和互鎖保護(hù)功能，軟件和硬件雙重過(guò)溫保護(hù)功能以及CDA缺壓報(bào)警功能，保障系統(tǒng)安全運(yùn)行；
10、維護(hù)簡(jiǎn)單、方便，一次大保養(yǎng)僅需2小時(shí)可完成。

以上就是小編為大家介紹的原子層沉積設(shè)備，感謝大家耐心的閱讀！