簡(jiǎn)介：

當(dāng)化學(xué)吸附到表面飽和度時(shí)，原子層沉積將至少兩個(gè)氣體前體源引入至少一個(gè)加熱反應(yīng)底座。當(dāng)化學(xué)吸附到表面飽和度時(shí)，適當(dāng)?shù)墓に嚋囟葧?huì)阻礙分子在表面的物理吸附。基本原子層沉積循環(huán)包括四個(gè)步驟：脈沖A、清潔A、脈沖B和清潔B。在所需薄膜厚度之前，沉積循環(huán)繼續(xù)重復(fù)。它是一種制造納米結(jié)構(gòu)以形成納米設(shè)備的工具。

原子層沉積設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)包括：

1.薄膜的厚度可以通過(guò)控制反應(yīng)周期的數(shù)量來(lái)精確控制，從而達(dá)到原子層的厚度精度；

2.大面積的均勻性得到前驅(qū)體化學(xué)吸附；

3.作為臺(tái)階覆蓋和納米孔材料的三維保形化學(xué)計(jì)量膜；

4.納米薄層和混合氧化物可沉積；

5.膜片在低溫下生長(zhǎng)(室溫低于400度)；

6.各種形狀的襯底可以廣泛使用；

7.原子層沉積和生長(zhǎng)的金屬氧化物膜可用于網(wǎng)格電介質(zhì)、電發(fā)光顯示絕緣體、電容器電介質(zhì)和MEMS設(shè)備。生長(zhǎng)中的金屬氮化物膜適用于擴(kuò)散基礎(chǔ)。

原子層沉積設(shè)備的應(yīng)用包括：

催化材料(Pt,Ir,Co,TiO2,V2O5)；

納米結(jié)構(gòu)(AllALDMaterial)；

生物醫(yī)學(xué)涂層，Tin，ZRN，TiAlN，AlTin；

ALD金屬(Ru,Pd,Ir,Pt,Rh,Co,Cu,Fe,Ni)；

壓電層(ZnO,AlN,ZnS)；

光子晶體(ZnO,ZnS:Mn,TiO2,Ta3N5)；

防反射濾光片(Al2O3,ZnS,SnO2,Ta2O5)。